| 光刻胶 | 膜厚[um] 旋涂@3000rpm | 光谱敏感度 | 特点 |
|---|---|---|---|
| ma-N 2401 | 0.1 | E-Beam 深紫外：248nm/254nm | Novolak光刻胶，高耐干蚀刻性 |
| ma-N 2403 | 0.3 | ||
| ma-N 2405 | 0.5 | ||
| ma-N 2410 | 1.0 |
独特的功能
-
l具有多种粘度的光刻胶
l水基碱性显影
l出色的图案分辨率-低至30 nm
l高耐干湿蚀刻性
l具有良好的热稳定性
l易于移除
应用
-
l半导体器件的制造
l在微电子和纳米电子学中的应用
l用于蚀刻的掩模，例如Si、SiO2、Si3N4或金属
l离子注入掩模
lNIL印章制作
推荐配套使用的工艺化学品
-
l稀释剂：ma-T 1090
l显影液：ma-D 525(基于TMAH）、ma-D 331、ma-D 332(基于NaOH)
l去除剂：mr-Rem 700(不含NMP和NEP)、mr-Rem 500(不含NMP）、ma-R 404/S（强碱性）
