| 光刻胶 | 膜厚[um] 旋涂@3000rpm | 光谱敏感度 | 特点 |
|---|---|---|---|
| mr-P 1201LIL | 0.1 | 330-450nm
i-line-365nm
h-line-405nm
g-line-436nm | 830 nm处的折射率： EpoCore:1.58， EpoClad:1.57， 低收缩率， 热稳定性高达230°C， 850nm时的低光学损耗±0.2dB/cm |
| mr-P 1202LIL | 0.2 |
独特的功能
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l100-500nm薄膜厚度
l对350-450nm曝光敏感
l由于高对比度而形成的陡峭侧壁能够实现高质量的蚀刻图案
l水性碱性显影
l耐蚀刻
应用
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l在用于衍射光学的陡边纳米结构的制造过程中对衬底表面的掩模：
n层流光栅
nVLS光栅
推荐配套使用的工艺化学品
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l稀释剂：ma-T 1050
l显影液：ma-D 374/S（含金属离子，硅酸盐/磷酸盐基）
l去除剂：mr-Rem 700（不含NMP和NEP）、mr-Rem 500（不含NMP）、ma-R 404/S（强碱性）
