| 光刻胶 | 膜厚[um] 旋涂@3000rpm | 光谱敏感度 | 特点 |
|---|---|---|---|
| ma-P 1205 | 0.5 | 350-410nm
i-line-365nm
h-line-405nm
g-line-436nm | 用于0.3-50µm厚膜的标准二元光刻 |
| ma-P 1210 | 1.0 | ||
ma-P 1215 | 1.5 | ||
| ma-P 1225 | 2.5 | ||
| ma-P 1240 | 4.0 | ||
| ma-P 1275 | 7.5 (低速旋涂单层膜时可达40µm) | ||
| ma-P 1275HV | 11 (低速旋涂单层膜时可达50µm) |
独特的功能
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l一次旋涂膜厚可达60μm
l宽带、g线和i线曝光
l在酸性和碱性镀液中具有高稳定性
l高耐干蚀刻性和耐湿蚀刻性
l具有良好的热稳定性
l水性碱性显影
l侧壁角度高达87°，带掩模对准器宽带曝光
l适用于图案回流
应用
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l蚀刻掩模-金属和半导体
l电镀模具
l通过回流光刻胶图案的图案转移制造微光学部件，例如微透镜
l离子注入掩模
推荐配套使用的工艺化学品
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l稀释剂：ma-T 1050
l显影液：mr-D 526/S（基于TMAH），ma-D 331（基于NaOH）
l去除剂：mr-Rem 700（不含NMP和NEP）、mr-Rem 500（不含NMP）、ma-R 404/S（强碱性）
