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光刻胶膜厚[um]
旋涂@3000rpm
G玻璃转变温度Tg【°C】特点

mr-I 9010M

10035

热固性材料在压印过程中会固化,在干蚀刻稳定性方面表现出色

mr-I 9020M200
mr-I 9030M300
mr-I 9050M500
mr-I 9100M1000
参考工艺参数
工艺步骤工艺参数
旋涂

3000rpm,30s

前烘

100℃,2分钟

压印温度

90-120℃

压印压力

5-10 bar

压印时间

1-5分钟

脱模温度

90-120℃

辐射强度

350 mW/cm2

辐射源

Hg broad band




独特的功能

l由于压印过程中的热诱导交联反应,在后续过程中具有优异的热结构稳定性(在两步压印过程中高达250°C)

l100%有机→ 可以使用纯氧等离子体进行干法蚀刻和剥离

应用

通过图案转移制备纳米图案,例如

l高亮度LED

l光子晶体

l图案介质

l纳米光学器件、亚波长光学元件

推荐配套使用的工艺化学品

l稀释剂:ma-T 1045

l除胶剂:ma-T 1045,氧气等离子体

  • 0510-85850689
  • 香港九龙官塘成业街27号日升中心7楼702室
  • 江苏省无锡市建筑西路599-1(1号楼)17楼1701
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