光刻胶 | 膜厚[um] 旋涂@3000rpm | 推荐的模具 | 特点 |
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mr-NIL 6000.1E | 100 | 所有的模具材料都适用 | 无需脱模剂,环氧苯乙烯,在70°C下压印 |
mr-NIL 6000.2E | 200 | ||
mr-NIL 6000.3E | 300 |
参考工艺参数 | |
工艺步骤 | 工艺参数 |
旋涂 | 3000rpm,30s |
前烘 | 90℃,1分钟 |
压印温度 | 65-70℃ |
压印压力 | 5-10 bar |
压印时间 | 1-5分钟 |
脱模温度 | 65-70℃ |
辐射强度 | 350 mW/cm2 |
辐射源 | Hg broad band |
独特的功能
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l由于压印过程中光化学诱导的交联反应,在后续工艺中具有优异的热结构稳定性
l100%有机NIL抗蚀剂→ 可以使用纯氧等离子体进行干法蚀刻和剥离
应用
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通过图案转移制备纳米图案,例如
l高亮度LED
l光子晶体
l图案介质
l纳米光学器件、亚波长光学元件
推荐配套使用的工艺化学品
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l稀释剂:ma-T 1045