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光刻胶 膜厚[um]
旋涂@3000rpm
光谱敏感度 特点

ma-P 1215

1.5

350-410nm
i-line-365nm
h-line-405nm
g-line-436nm

可用于80µm厚膜的灰度光刻
适用标准二进制光刻
镀液稳定性高
高耐蚀刻性

ma-P 1215G

2.5

ma-P 1275G

9.5
(低速旋涂单层膜时可达60µm)

独特的功能

l对比度降低

l薄膜厚度高达60µm及以上

l灰度光刻中可能达到的图案深度范围为50-60µm

l光谱灵敏度350-450 nm

l无需放气即可进行高强度激光曝光

l水性碱性显影,用于使用基于TMAH的显影液的灰度光刻,也可用于使用含金属离子的显影液的标准二元光刻

l适用于电镀

l适用于干蚀刻工艺,例如使用CHF3、CF4、SF6

l适用于标准二元光刻后的图案回流

应用

l在微光学、MEMS和MOEMS、显示器中制造3D图案

l模式传输方式

l紫外线成型

l蚀刻

l电镀

推荐配套使用的工艺化学品

l稀释剂:ma-T 1050

l显影液:ma-D 532/S,mr-D 526/S(基于TMAH)用于灰度光刻,ma-D 331(基于NaOH)用于标准光刻

l去除剂:mr-Rem 700(不含NMP和NEP)、mr-Rem 500(不含NMP)、ma-R 404/S(强碱性)

  • 0510-85850689
  • 香港九龙官塘成业街27号日升中心7楼702室
  • 江苏省无锡市建筑西路599-1(1号楼)17楼1701
  • 深圳市南山区粤海街道蔚蓝海岸社区兰香一街2号海王星辰大厦1102室
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