| 压印胶 | 膜厚[um] 旋涂@3000rpm | G玻璃转变温度Tg【°C】 | 特点 |
|---|---|---|---|
| SIPOL-60nm | 60 | 63 | 含硅NIL胶，可以在双层方法中原位形成SiO2硬掩模 |
| SIPOL-100nm | 100 | ||
| SIPOL-100nm | 200 |
| 参考工艺参数 | |
| 工艺步骤 | 工艺参数 |
| 旋涂 | 3000rpm，30s |
| 软烘 | 100℃，2分钟 |
| 压印温度 | 100-130℃ |
| 压印压力 | 10-30 bar |
| 压印时间 | 1-5分钟 |
| 脱模温度 | 20-50℃ |
独特的功能
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l由于硅含量为10%，因此耐氧等离子体性高
l由于良好的脱模特性，所以具有低缺陷率
应用
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l高纵横比的微米/纳米级图案的制备>>3
l用于制造高亮度LED的图案化蓝宝石衬底（PSS）
l用于纳米流体设备的微/纳米柱，例如DNA电泳
l光子晶体的制造
推荐配套使用的工艺化学品
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l稀释剂：ma-T 1050
l除胶剂：ma-T 1050、丙酮、有机溶剂
l转移层：UL1系列
