| 光刻胶 | 膜厚[um] 旋涂@3000rpm | 光谱敏感度 | 特点 |
|---|---|---|---|
| mr-DWL 5 | 3-15 | 350-410nm i-Line/h-Line | 用于通过激光直写（DLW和2PP）进行图案化， 在永久性以及非永久性光学应用中具有高耐干湿蚀刻性 |
| mr-DWL 40 | 10-100 | ||
| mr-DWL 100 | 20-150 |
独特的功能
-
l专为400 nm以上的曝光波长而设计
l适用于DLW（例如@405nm）和2PP
l高灵敏度
l优异的热稳定性和化学稳定性
l高湿蚀刻和干蚀刻稳定性
应用
-
lDLW和2PP的快速非接触式原型设计
l用于湿法和干法蚀刻工艺的蚀刻掩模
l电镀模具
l通过热成型或紫外线成型制造印章的模具
l光学在微系统技术中的应用
推荐配套使用的工艺化学品
-
l稀释剂：无
l显影液：mr-Dev 600（溶剂型）
l去除剂：mr-Rem 700（不含NMP和NEP）、mr-Rem 500（不含NMP）、O2 -Plasma
