RDA-Qz3是由日本Litho Tech Japan（LTJ）公司自主研究发明的一款设备。该设备是基于石英晶体微天平（Quartz Crystal Microbalance，以下简称为QCM）方法作为测量原理的高精度光刻胶显影分析仪，可以测量光刻胶在显影时的质量变化， 还可以分析光刻胶在显影期间的溶胀行为（溶胀膜的厚度和粘度分析），是开发研究彩色光刻胶，ArF光刻胶的得力助手。

WEXA-2光刻胶渗漏测量仪是由IMEC（微电子研究中心）开发，由日本Litho Tech Japan（LTJ）公司生产制造的ArF浸没式光刻胶的渗出样品采集工具。

RDA（Resist Development Analyzer）光刻胶显影分析仪是由日本Litho Tech Japan（LTJ）公司自主研究发明专用于光刻胶研发及树脂材料分析的设备，用于光刻胶成型的特征研究，全球唯一生产制造商。

VUVES-4700i是一种开放式框架曝光系统，无掩膜曝光机，配备了LDLS光源，可提供193nm和248nm的曝光波长。这种曝光系统是为光刻胶、树脂开发而使用的，适合评估和测试193nm和248nm工艺（包括浸润式工艺）的各种光刻胶。光刻胶通过该曝光系统，曝光的同时也会测试和计算对应光刻胶透光率与时间的变化，从而获得光刻胶及树脂评估的有效参数Dill ABC以及光刻胶的灵敏度Eth！该设备可以替代部分光刻机的功能，是光刻胶以及树脂厂商材料研究及开发的重要工具！

脱保护反应装置PAGA-100是由日本Litho Tech Japan（LTJ）公司自主研究发明的一款专用于后烘（PEB，Post Exposure Bake）过程中使用远红外光谱监控化学放大胶脱保护反应的装置，是以傅里叶变换红外光谱仪（Fourier Transform Infrared Spectrometer，以下简称为FTIR）为基础的化学增幅光刻胶脱保护反应、交联反应参数测定/分析装置。