RDA-Qz3是由日本Litho Tech Japan(LTJ)公司自主研究发明的一款设备。该设备是基于石英晶体微天平(Quartz Crystal Microbalance,以下简称为QCM)方法作为测量原理的高精度光刻胶显影分析仪,可以测量光刻胶在显影时的质量变化, 还可以分析光刻胶在显影期间的溶胀行为(溶胀膜的厚度和粘度分析),是开发研究彩色光刻胶,ArF光刻胶的得力助手。
WEXA-2光刻胶渗漏测量仪是由IMEC(微电子研究中心)开发,由日本Litho Tech Japan(LTJ)公司生产制造的ArF浸没式光刻胶的渗出样品采集工具。
RDA(Resist Development Analyzer)光刻胶显影分析仪是由日本Litho Tech Japan(LTJ)公司自主研究发明专用于光刻胶研发及树脂材料分析的设备,用于光刻胶成型的特征研究,全球唯一生产制造商。
VUVES-4700i是一种开放式框架曝光系统,无掩膜曝光机,配备了LDLS光源,可提供193nm和248nm的曝光波长。这种曝光系统是为光刻胶、树脂开发而使用的,适合评估和测试193nm和248nm工艺(包括浸润式工艺)的各种光刻胶。光刻胶通过该曝光系统,曝光的同时也会测试和计算对应光刻胶透光率与时间的变化,从而获得光刻胶及树脂评估的有效参数Dill ABC以及光刻胶的灵敏度Eth!该设备可以替代部分光刻机的功能,是光刻胶以及树脂厂商材料研究及开发的重要工具!
脱保护反应装置PAGA-100是由日本Litho Tech Japan(LTJ)公司自主研究发明的一款专用于后烘(PEB,Post Exposure Bake)过程中使用远红外光谱监控化学放大胶脱保护反应的装置,是以傅里叶变换红外光谱仪(Fourier Transform Infrared Spectrometer,以下简称为FTIR)为基础的化学增幅光刻胶脱保护反应、交联反应参数测定/分析装置。