| 光刻胶 | 膜厚[um] 旋涂@3000rpm | 光谱敏感度 | 特点 |
|---|---|---|---|
| mr-EBL 6000.1 | 0.1 | E-Beam | 优异的热稳定性，高耐干湿蚀刻性 |
| mr-EBL 6000.3 | 0.3 | ||
| mr-EBL 6000.5 | 0.5 |
独特的功能
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l电子束灵敏度：
n2-5μC/cm2@10keV
n在20keV时为4-6μC/cm2
n50 keV时20-40μC/cm2
l需要曝光后烘烤（PEB）
l有机溶剂的显影
l优异的热稳定性
l高耐干湿蚀刻性
l分辨率：80 nm
应用
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l在微电子和纳米电子学中的应用
l半导体器件的制造
l用于蚀刻的掩模，例如Si、SiO2、Si3N4或金属
l纳米图案印章的生成
推荐配套使用的工艺化学品
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l稀释剂：ma-T 1045
l显影液：mr-Dev 600（溶剂型）
l去除剂：mr-Rem 700（不含NMP和NEP）、mr-Rem 500（不含NMP）、O2 -Plasma
