WEXA-2光刻胶渗漏测量仪是由IMEC（微电子研究中心）开发，由日本Litho Tech Japan（LTJ）公司生产制造的ArF浸没式光刻胶的渗出样品采集工具。
该系统主要由WEXA吸盘（用于吸附晶圆）和注射泵组成。在WEXA头部有5个凹槽，当去离子水通过涂有光刻胶的晶圆表面时，上面的光刻胶就会发生浸出，设备配有浸出物收集容器，收集到浸出物后，测量浸出物的离子浓度后输入到设备专用的软件后就可以计算得到该款光刻胶的浸出率。去离子水的流速和流量可用注射泵进行设置。该系统能让您测量光刻胶的渗出率（浸出率），对ArF湿胶的开发研究特别有帮助。
浸没式光刻是为了延展摩尔定律，突破图形最小特征尺寸而诞生的一项重要光刻技术，是芯片产业发展的里程碑进展之一。193nm水浸没式光刻机从45nm纳米技术节点开始成为芯片光刻技术的主流设备，一直到7nm（第一代N7和第二代N7P）。一共经过45nm、40nm、32nm、28nm、20nm、16nm、14nm、10nm、7nm共九个技术节点，影响了芯片产业长达20年之久。而在ArF胶浸没曝光的期间，光刻胶与水接触，光刻胶里面的一些阴离子会溶解在水中，当溶解的阴离子越多，光刻胶的性能就会越差，这就是为什么浸出率对ArF-i光刻胶非常重要的原因。
系统配置
(1) WEXA 头组件
(2) 针泵组件
(3) 样品收集瓶： 100 个
(4) 样板夹：1 个
(5) 软件：浸出值计算专用软件[WCC (WEXA浓度计算器)]Windows10 OS，语言:英语
(6) 晶圆大小： 8英寸
测量流程
1) 把涂有光刻胶的晶圆夹在WEXA头固定。
2) 设置流速及流量于针泵，操作面板操控纯水开始流动，设备搜集纯水于样品瓶子内。
3) 变更流量流速，搜集5个样板。
4) 搜集样板后记录重量，浸出物的重量就是样板收集前后的重量差。（电子称另售/自备）
5) 浸出物的成分浓度须要使用LCMS液相质谱仪测量。（另售/自备）
6)输入样板重量和浓度数据，软件随之计算浸出率。（电脑另售/自备）
安装场地配置
针泵电力 AC100-240V 终端连接
洁净干气 气压: 0.5 MPa（供吹干纯水）
纯水 无污染
真空 小型真空泵（另售/自备）
设备尺寸规格
主设备：W900×D600，13KG
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