| 光刻胶 | 膜厚[um] 旋涂@3000rpm | 光谱敏感度 | 特点 |
|---|---|---|---|
| ma-N 402 | 0.2 | 300-380nm i-line-365nm | Novolak光刻胶，热稳定性高达110°C，可用于金属蒸镀 |
| ma-N 405 | 0.5 | ||
| ma-N 415 | 1.5 | ||
| ma-N 420 | 2.0 | ||
| ma-N 440 | 4.1 | ||
| ma-N 490 | 7.5 | ||
| ma-N 1405 | 0.5 | 300-410nm i-line-365nm (h-line-405nm) | Novolak光刻胶，热稳定性高达160°C，可用于金属蒸镀和溅射 |
| ma-N 1407 | 0.7 | ||
| ma-N 1410 | 1.0 | ||
| ma-N 1420 | 2.0 | ||
| ma-N 1440 | 4.0 |
独特的功能
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l具有多种粘度的光刻胶
l水基碱性显影
l可调图案轮廓：垂直于底切
l高耐干湿蚀刻性
l具有良好的热稳定性
l易于移除
应用
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l微电子与微系统技术
l剥离工艺的mask
l半导体和金属蚀刻掩模
l非常适合离子注入
l电镀模具
推荐配套使用的工艺化学品
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用于ma-N 1400系列
l稀释剂：ma-T 1046
l显影液：ma-D 533/S（基于TMAH）
l去除剂：mr-Rem 700（不含NMP和NEP）、mr-Rem 500（不含NMP）、ma-R 404/S（强碱性）
l剥离：mr-Rem 700（不含NMP和NEP），mr-Rem 500（不含NMP）
用于ma-N 400系列
l稀释剂：ma-T 1049
l显影液：ma-D 331/S、ma-D 332/S（基于NaOH）、531/S、ma-D532/S（基于TMAH）
l去除剂：mr-Rem 700（不含NMP和NEP）、mr-Rem 500（不含NMP）、ma-R 404/S（强碱性）
l剥离：mr-Rem 700（不含NMP和NEP），mr-Rem 500（不含NMP）
